BSC883N03LS G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSC883N03LS G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
漏源极电压Vds 34 V
上升时间 4.4 ns
输入电容Ciss 2800pF @15VVds
额定功率Max 57 W
下降时间 4 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSC883N03LS G引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSC883N03LS G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC883N03LS G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8Pin TDSON EP | 搜索库存 |