BUZ102SL

Infineon 英飞凌电子元器件分类

SIPMOS大功率晶体管（ N沟道增强模式的逻辑电平雪崩额定的dv / dt评分） SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated

Features

•N channel

•Enhancement mode

•Avalanche rated

•Logic Level

•dv/dtrated

•175 ˚C operating temperature

得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET

立创商城:
BUZ102SL

罗切斯特:
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube

BUZ102SL中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 47A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BUZ102SL引脚图与封装图

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