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BFP193E6327

BFP193E6327

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 580mW; SOT143

RF Transistor


得捷:
BFP193 - HIGH LINEARITY SI- AND


TME:
Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 580mW; SOT143


BFP193E6327中文资料参数规格
技术参数

频率 6 GHz

耗散功率 580 mW

最大电流放大倍数hFE 70 @30mA, 8V

封装参数

封装 SOT-143-4

外形尺寸

封装 SOT-143-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFP193E6327引脚图与封装图
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在线购买BFP193E6327
型号 制造商 描述 购买
BFP193E6327 Infineon 英飞凌 Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 580mW; SOT143 搜索库存
替代型号BFP193E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFP193E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-143-4

当前型号

Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 580mW; SOT143

当前型号