BSZ088N03LSG
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSZ088N03LSG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 35.0 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1700pF @15VVds
额定功率Max 35 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 S3O8
外形尺寸
封装 S3O8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSZ088N03LSG引脚图与封装图
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在线购买BSZ088N03LSG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSZ088N03LSG | Infineon 英飞凌 | 30V,40A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSZ088N03LSG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSZ088N03LSG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： S3O8 N-Channel | 当前型号 | 30V,40A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： IPF090N03LG 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | BSZ088N03LSG和IPF090N03LG的区别 |