BSZ097N04LSG
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSZ097N04LSG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 35.0 W
漏源极电压Vds 40 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TSDSON
外形尺寸
封装 TSDSON
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSZ097N04LSG引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSZ097N04LSG | Infineon 英飞凌 | 40V,40A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |