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BSC077N12NS3G

BSC077N12NS3G

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BSC077N12NS3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 120

外形尺寸

封装 120

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSC077N12NS3G引脚图与封装图
BSC077N12NS3G引脚图

BSC077N12NS3G引脚图

BSC077N12NS3G封装焊盘图

BSC077N12NS3G封装焊盘图

在线购买BSC077N12NS3G
型号 制造商 描述 购买
BSC077N12NS3G Infineon 英飞凌 120V,98A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号BSC077N12NS3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC077N12NS3G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: 120 N-Channel

当前型号

120V,98A,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: BSC100N03MSGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 12A

完全替代

INFINEON  BSC100N03MSGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 V

BSC077N12NS3G和BSC100N03MSGATMA1的区别

型号: BSC050NE2LS

品牌: 英飞凌

封装: TDSON N-Channel 25V 39A

完全替代

INFINEON  BSC050NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2 V

BSC077N12NS3G和BSC050NE2LS的区别

型号: BSC0902NS

品牌: 英飞凌

封装: 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A

完全替代

INFINEON  BSC0902NS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V

BSC077N12NS3G和BSC0902NS的区别