极性 N-Channel
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 120
封装 120
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSC077N12NS3G引脚图
BSC077N12NS3G封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSC077N12NS3G | Infineon 英飞凌 | 120V,98A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSC077N12NS3G 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 120 N-Channel | 当前型号 | 120V,98A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: BSC100N03MSGATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 12A | 完全替代 | INFINEON BSC100N03MSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 30 V, 0.0083 ohm, 10 V, 2 V | BSC077N12NS3G和BSC100N03MSGATMA1的区别 | |
型号: BSC050NE2LS 品牌: 英飞凌 封装: TDSON N-Channel 25V 39A | 完全替代 | INFINEON BSC050NE2LS 晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 25 V, 0.0042 ohm, 10 V, 2 V | BSC077N12NS3G和BSC050NE2LS的区别 | |
型号: BSC0902NS 品牌: 英飞凌 封装: 8-PowerTDFN N-Channel 30V 24A | 完全替代 | INFINEON BSC0902NS 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 30 V, 0.0022 ohm, 10 V, 1.2 V | BSC077N12NS3G和BSC0902NS的区别 |