BSZ058N03MSG
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSZ058N03MSG中文资料参数规格
技术参数
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3.8 ns
输入电容Ciss 3100pF @15VVds
额定功率Max 45 W
下降时间 3 ns
封装参数
封装 S3O8
外形尺寸
封装 S3O8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSZ058N03MSG引脚图与封装图
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在线购买BSZ058N03MSG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSZ058N03MSG | Infineon 英飞凌 | 30V,40A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSZ058N03MSG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSZ058N03MSG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： S3O8 | 当前型号 | 30V,40A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSZ058N03LSG 品牌： 英飞凌 封装： S3O8 | 类似代替 | IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能 | BSZ058N03MSG和BSZ058N03LSG的区别 |