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BSP315PL6327

BSP315PL6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BSP315PL6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -1.17 A

额定功率 1.8 W

输入电容 160 pF

栅电荷 7.80 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.17 A

输入电容Ciss 160pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

BSP315PL6327引脚图与封装图
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在线购买BSP315PL6327
型号 制造商 描述 购买
BSP315PL6327 Infineon 英飞凌 60V,-1.17A,P沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号BSP315PL6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP315PL6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 60V 1.17A 160pF

当前型号

60V,-1.17A,P沟道功率MOSFET

当前型号

型号: BSP315P

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 P-Channel -60V 1.17A

完全替代

INFINEON  BSP315P  晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V

BSP315PL6327和BSP315P的区别

型号: BSP315

品牌: 西门子

封装:

功能相似

P沟道 50V 1A

BSP315PL6327和BSP315的区别

型号: BSP315PH6327

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

60V,800mΩ,-11.7A,P沟道小信号MOSFET

BSP315PL6327和BSP315PH6327的区别