![BSP315PL6327](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_48/chanpintu/bsp315pl6327-lKnBQebV-8q0D0Q1pq.png)
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -1.17 A
额定功率 1.8 W
输入电容 160 pF
栅电荷 7.80 nC
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 1.17 A
输入电容Ciss 160pF @25VVds
额定功率Max 1.8 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-223
封装 SOT-223
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSP315PL6327 | Infineon 英飞凌 | 60V,-1.17A,P沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSP315PL6327 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-223 60V 1.17A 160pF | 当前型号 | 60V,-1.17A,P沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: BSP315P 品牌: 英飞凌 封装: SOT-223 P-Channel -60V 1.17A | 完全替代 | INFINEON BSP315P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.17 A, -60 V, 800 mohm, -10 V, -1.5 V | BSP315PL6327和BSP315P的区别 | |
型号: BSP315 品牌: 西门子 封装: | 功能相似 | P沟道 50V 1A | BSP315PL6327和BSP315的区别 | |
型号: BSP315PH6327 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | 60V,800mΩ,-11.7A,P沟道小信号MOSFET | BSP315PL6327和BSP315PH6327的区别 |