BSO200P03SH
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.56 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DSO
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.65 mm
封装 DSO
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSO200P03SH | Infineon 英飞凌 | 30V,-9.1A,P沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSO200P03SH 品牌: Infineon 英飞凌 封装: DSO | 当前型号 | 30V,-9.1A,P沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: BSO200P03SHXUMA1 品牌: 英飞凌 封装: 8-SOIC P-CH 30V 7.4A | 功能相似 | Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO200P03SHXUMA1, 7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装 | BSO200P03SH和BSO200P03SHXUMA1的区别 |