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BSO200P03SH

BSO200P03SH

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Infineon 英飞凌 分立器件

30V,-9.1A,P沟道功率MOSFET

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

BSO200P03SH中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.56 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DSO

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.65 mm

封装 DSO

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

BSO200P03SH引脚图与封装图
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替代型号BSO200P03SH
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型号: BSO200P03SH

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DSO

当前型号

30V,-9.1A,P沟道功率MOSFET

当前型号

型号: BSO200P03SHXUMA1

品牌: 英飞凌

封装: 8-SOIC P-CH 30V 7.4A

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