BSC120N03LSG
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSC120N03LSG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 28.0 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1200pF @15VVds
额定功率Max 28 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SuperSO-8
外形尺寸
封装 SuperSO-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
海关信息
香港进出口证 NLR
BSC120N03LSG引脚图与封装图 
BSC120N03LSG引脚图
BSC120N03LSG封装焊盘图
在线购买BSC120N03LSG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC120N03LSG | Infineon 英飞凌 | 30V,39A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSC120N03LSG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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