BSC080N03MSG
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSC080N03MSG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 35.0 W
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 2100pF @15VVds
额定功率Max 35 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SuperSO-8
外形尺寸
封装 SuperSO-8
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSC080N03MSG引脚图与封装图
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在线购买BSC080N03MSG
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC080N03MSG | Infineon 英飞凌 | 30V,8mΩ,53A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSC080N03MSG
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSC080N03MSG 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SuperSO8 N-Channel | 当前型号 | 30V,8mΩ,53A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSC060N10NS3G 品牌： 英飞凌 封装： 100 N-Channel | 完全替代 | 100V,90A,N沟道功率MOSFET | BSC080N03MSG和BSC060N10NS3G的区别 |
| 型号： BSC077N12NS3G 品牌： 英飞凌 封装： 120 N-Channel | 完全替代 | 120V,98A,N沟道功率MOSFET | BSC080N03MSG和BSC077N12NS3G的区别 |
| 型号： BSC020N03MSG 品牌： 英飞凌 封装： TDSON N-Channel | 类似代替 | 30V,100A,N沟道功率MOSFET | BSC080N03MSG和BSC020N03MSG的区别 |