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BSC014N03LSG

BSC014N03LSG

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BSC014N03LSG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 139 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

封装 PowerTDFN-8

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSC014N03LSG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSC014N03LSG Infineon 英飞凌 30V,100A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号BSC014N03LSG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC014N03LSG

品牌: Infineon 英飞凌

封装: 8-PowerTDFN N-Channel

当前型号

30V,100A,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: BSC080N03LSGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 14A

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型号: BSC0909NS

品牌: 英飞凌

封装: TDSON-8 N-Channel 34V 12A

功能相似

30V,9.2mΩ,44A,N沟道功率MOSFET

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型号: STL140N4LLF5

品牌: 意法半导体

封装: Power N-Channel 40V 140A

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N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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