BSD816SNL6327
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSD816SNL6327中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 126pF @10VVds
下降时间 2.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSD816SNL6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSD816SNL6327 | Infineon 英飞凌 | 20V,1.4A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |