BSS215PL6327
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
主动器件
BSS215PL6327中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.5A
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BSS215PL6327引脚图与封装图
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在线购买BSS215PL6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS215PL6327 | Infineon 英飞凌 | 20V,-1.5A,P沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSS215PL6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSS215PL6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： TO-236 P-CH | 当前型号 | 20V,-1.5A,P沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSS215PH6327 品牌： 英飞凌 封装： P-Channel | 功能相似 | 20V,-1.5A,P沟道功率MOSFET | BSS215PL6327和BSS215PH6327的区别 |