BSC080N03LSG
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSC080N03LSG中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 2.8 ns
输入电容Ciss 1300pF @15VVds
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON
外形尺寸
封装 TDSON
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSC080N03LSG引脚图与封装图 
BSC080N03LSG引脚图
BSC080N03LSG封装焊盘图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| BSC080N03LSG | Infineon 英飞凌 | 30V,52A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |