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BC858AE6327

BC858AE6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

通用 PNP ,

### 双极晶体管,Infineon


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SOT23


Win Source:
TRANS PNP 30V 0.1A SOT-23


BC858AE6327中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

BC858AE6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BC858AE6327 Infineon 英飞凌 PNP 晶体管,Infineon ### 双极晶体管,Infineon 搜索库存
替代型号BC858AE6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC858AE6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-236-3 PNP

当前型号

PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

当前型号

型号: BC858BE6327

品牌: 英飞凌

封装: TO-236 PNP 330mW

类似代替

SOT-23 PNP 30V 0.1A

BC858AE6327和BC858BE6327的区别

型号: BC858BWT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-323 PNP -30V -100mA 150mW

功能相似

PNP 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管

BC858AE6327和BC858BWT1G的区别

型号: BC858B,215

品牌: 恩智浦

封装: TO23-6AB PNP 250mW

功能相似

NXP  BC858B,215  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 220 hFE

BC858AE6327和BC858B,215的区别