BZT52B10
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Taiwan Semiconductor
台湾半导体
分立器件
BZT52B10中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 500 mW
测试电流 5 mA
稳压值 10 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123F
外形尺寸
长度 2.7 mm
宽度 1.7 mm
高度 1 mm
封装 SOD-123F
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
BZT52B10引脚图与封装图
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在线购买BZT52B10
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZT52B10 | Taiwan Semiconductor 台湾半导体 | 500mW，BZT52B 系列，Taiwan Semiconductor 小信号 500mW 齐纳二极管 电压容差为 2% 表面安装外壳，SOD-123F ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor | 搜索库存 |
替代型号BZT52B10
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZT52B10 品牌： Taiwan Semiconductor 台湾半导体 封装： SOD | 当前型号 | 500mW，BZT52B 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管 电压容差为 2% 表面安装外壳，SOD-123F ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor | 当前型号 |
| 型号： BZY55B10RYG 品牌： 台湾半导体 封装： | 功能相似 | 10V 0.5W1/2W | BZT52B10和BZY55B10RYG的区别 |