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BSC050N04LSG

BSC050N04LSG

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BSC050N04LSG中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5 W

上升时间 3.8 ns

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

封装 TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC050N04LSG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSC050N04LSG Infineon 英飞凌 40V,85A,N沟道功率MOSFET 搜索库存
替代型号BSC050N04LSG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSC050N04LSG

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

40V,85A,N沟道功率MOSFET

当前型号

型号: BSC520N15NS3G

品牌: 英飞凌

封装: PG-TDSON-8-5 N-Channel

完全替代

150V,21A,N沟道功率MOSFET

BSC050N04LSG和BSC520N15NS3G的区别

型号: BSC360N15NS3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 150V 33A

功能相似

INFINEON  BSC360N15NS3GATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V

BSC050N04LSG和BSC360N15NS3GATMA1的区别

型号: BSC059N04LSG

品牌: 英飞凌

封装: PG-TDSON-8-5 N-Channel

功能相似

IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀

BSC050N04LSG和BSC059N04LSG的区别