![BSC050N04LSG](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_48/chanpintu/bsc050n04lsg-lqh79iwS-2jw78Ba4j.png)
耗散功率 2.5 W
上升时间 3.8 ns
下降时间 4.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
引脚数 8
封装 TDSON-8
封装 TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSC050N04LSG | Infineon 英飞凌 | 40V,85A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSC050N04LSG 品牌: Infineon 英飞凌 封装: | 当前型号 | 40V,85A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: BSC520N15NS3G 品牌: 英飞凌 封装: PG-TDSON-8-5 N-Channel | 完全替代 | 150V,21A,N沟道功率MOSFET | BSC050N04LSG和BSC520N15NS3G的区别 | |
型号: BSC360N15NS3GATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 150V 33A | 功能相似 | INFINEON BSC360N15NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 150 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V | BSC050N04LSG和BSC360N15NS3GATMA1的区别 | |
型号: BSC059N04LSG 品牌: 英飞凌 封装: PG-TDSON-8-5 N-Channel | 功能相似 | IInfineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,高达 40VOptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET,用于 SMPS 优化技术,用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道,逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DSon 产品 FOM 极低导通电阻 R DSon 无铅电镀 | BSC050N04LSG和BSC059N04LSG的区别 |