BSC060N10NS3G
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSC060N10NS3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
上升时间 16 ns
下降时间 12 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 100
外形尺寸
封装 100
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSC060N10NS3G引脚图与封装图 
BSC060N10NS3G引脚图
BSC060N10NS3G封装焊盘图
在线购买BSC060N10NS3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSC060N10NS3G | Infineon 英飞凌 | 100V,90A,N沟道功率MOSFET | 搜索库存 |
替代型号BSC060N10NS3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSC060N10NS3G 品牌： Infineon 英飞凌 封装： 100 N-Channel | 当前型号 | 100V,90A,N沟道功率MOSFET | 当前型号 |
| 型号： BSC080N03MSG 品牌： 英飞凌 封装： SuperSO8 N-Channel | 完全替代 | 30V,8mΩ,53A,N沟道功率MOSFET | BSC060N10NS3G和BSC080N03MSG的区别 |
| 型号： BSC057N03MSG 品牌： 英飞凌 封装： SuperSO8 N-Channel | 完全替代 | 30V,71A,N沟道功率MOSFET | BSC060N10NS3G和BSC057N03MSG的区别 |
| 型号： BSC077N12NS3G 品牌： 英飞凌 封装： 120 N-Channel | 完全替代 | 120V,98A,N沟道功率MOSFET | BSC060N10NS3G和BSC077N12NS3G的区别 |