BSZ0909NS

Infineon(英飞凌) 分立器件

34V,12mΩ,36A,N沟道功率MOSFET

* Ultra low gate and output charge * Lowest on-state resistance in small footprint packages * Easy to design in

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N沟道 34V 36A

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Trans MOSFET N-CH 34V 9A 8-Pin TSDSON EP T/R

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BSZ0909NS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9A

上升时间 2.2 ns

输入电容Ciss 1700pF @15VVds

额定功率Max 2.1 W

下降时间 2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

高度 1.10 mm

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 VRD/VRM, Onboard charger, Mainboard

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSZ0909NS引脚图与封装图

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