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BCV62CE6327

BCV62CE6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

通用 PNP ,

### 双极晶体管,Infineon


得捷:
TRANSISTORS FOR CURRENT MIRROR


TME:
Transistor: PNP x2; bipolar; 30V; 100mA; 300mW; SOT143


BCV62CE6327中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420

最大电流放大倍数hFE 800

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-143-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-143-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCV62CE6327引脚图与封装图
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