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BZX384-B12

BZX384-B12

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 电子元器件分类

300mW,BZX384 系列,NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX384-B 和大约 5% BZX384-C 表面安装外壳:SOD-323 SC-76 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors

额定齐纳电压VzVZener Voltage 最小min.| 11.8V

\---|---

平均Typ.| 12V

最大max.| 12.2V

误差Tolerance| 2%

最大齐纳阻抗ZzΩDynamic Impedance| 10Ω/ohm

最大反向漏电流IRuAReverse Current | 0.1uA

最大耗散功率PdPower dissipation| 300mW/0.3W

Description & Applications| •Voltage regulator diodes • Total power dissipation: max. 300 mW • Working voltage range: nominal 2.4 to 75 V E24 range • Non-repetitive peak reverse power dissipation: max. 40 W. •Low-power voltage regulator diodes

描述与应用| •电压稳压二极管 •总功耗:最大。 300mw •非重复性峰值反向功耗:最大。40w。 •低功耗稳压二极管

BZX384-B12中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 300 mW

稳压值 12 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.1 mm

封装 SOD-323

物理参数

温度系数 8.4 mV/℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

BZX384-B12引脚图与封装图
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在线购买BZX384-B12
型号 制造商 描述 购买
BZX384-B12 NXP 恩智浦 300mW,BZX384 系列,NXP Semiconductors 齐纳电压容差为 2% BZX384-B 和大约 5% BZX384-C 表面安装外壳:SOD-323 SC-76 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors 搜索库存
替代型号BZX384-B12
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BZX384-B12

品牌: NXP 恩智浦

封装:

当前型号

300mW,BZX384 系列,NXP Semiconductors齐纳电压容差为 2% BZX384-B 和大约 5% BZX384-C 表面安装外壳:SOD-323 SC-76 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: BZX384-B12,115

品牌: 安世

封装: SOD-323

类似代替

NXP BZX384-B12,115 单路 齐纳二极管, 12V 2% 300 mW, 2引脚 SOD-323封装

BZX384-B12和BZX384-B12,115的区别

型号: PZU12B2,115

品牌: 恩智浦

封装: SOD323

类似代替

SOD-323F 11.99V 550mW

BZX384-B12和PZU12B2,115的区别

型号: PZU12B1,115

品牌: 恩智浦

封装: SOD-323F

类似代替

SOD-323F 11.66V 550mW

BZX384-B12和PZU12B1,115的区别