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BC807W
NXP 恩智浦 分立器件

PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −500mA/-0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 80MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100~600 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| −700mV/-0.7V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| PNP Silicon AF Transistors FEATURES • High current max. 500 mA • Low voltage max. 45 V. APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. 描述与应用| PNP硅自动对焦 特点 •高电流(最大500毫安) •低电压(最大45 V)。 应用 •通用开关和放大。

BC807W中文资料参数规格
技术参数

最小电流放大倍数hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC807W引脚图与封装图
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型号: BC807W

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-323/SC-70

当前型号

PNP 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: BC807W,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-323 PNP 0.2W

功能相似

NXP  BC807W,115  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 80 MHz, 200 mW, -500 mA, 100 hFE

BC807W和BC807W,115的区别