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BSR41
NXP 恩智浦 电子元器件分类

NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 70V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 60V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 40~120 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.35W Description & Applications| NPN medium power transistors FEATURES • High current max. 1 A • Low voltage max. 80 V. APPLICATIONS • Thick and thin-film circuits • Telephony and general industrial applications. 描述与应用| NPN中等功率晶体管 特点 •高电流(最大1 A) •低电压(最大80 V)。 应用 •厚薄膜电路 •电话和一般工业应用。

BSR41中文资料参数规格
技术参数

最小电流放大倍数hFE 30

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.35 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-89

外形尺寸

长度 4.6 mm

宽度 2.6 mm

高度 1.6 mm

封装 SOT-89

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSR41引脚图与封装图
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型号: BSR41

品牌: NXP 恩智浦

封装:

当前型号

NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

当前型号

型号: BSR41,115

品牌: 恩智浦

封装: UPAK NPN

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BSR41和BSR41,115的区别

型号: BSR33/T3

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

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BSR41和BSR33/T3的区别