BZT52H-C62
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NXP
恩智浦
电子元器件分类
BZT52H-C62中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 830 mW
测试电流 2 mA
稳压值 62 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 830 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-123F
外形尺寸
长度 2.7 mm
宽度 1.7 mm
高度 1.2 mm
封装 SOD-123F
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BZT52H-C62引脚图与封装图
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在线购买BZT52H-C62
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZT52H-C62 | NXP 恩智浦 | 830mW，BZT52H 系列，NXP Semiconductors 通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳，SOD-123F ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号BZT52H-C62
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZT52H-C62 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | 830mW，BZT52H 系列，NXP Semiconductors通用齐纳二极管高达 830mW 齐纳电压范围内的严格容差 表面安装外壳，SOD-123F ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： BZT52H-C62,115 品牌： 安世 封装： SOD | 功能相似 | BZT52H-C62,115 编带 | BZT52H-C62和BZT52H-C62,115的区别 |