BCV61CE6327
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
BCV61CE6327中文资料参数规格
技术参数
频率 250 MHz
极性 NPN
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-143
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCV61CE6327引脚图与封装图
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在线购买BCV61CE6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCV61CE6327 | Infineon 英飞凌 | Infineon 使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管，可用作电流反射镜对。 良好的热耦合和 VBE 配接 高电流增益 低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管，Infineon | 搜索库存 |