BCV29
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
NXP BCV29 双极晶体管阵列, 双NPN, 30 V, 1.3 W, 500 mA, 4000 hFE, SOT-89 新
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-EmitterVoltageVCEO| 30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 220MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 20000 @ 5V,0.1A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 1V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| • High current max. 500 mA • Low voltage max. 60 V • High DC current gain min. 20000. • Preamplifier input applications. • NPN small-signal Darlington transistor in a surface mount SOT89 plastic package. • PNP complements: BCV28。 描述与应用| •高电流（最大500毫安） •低电压（最大60 V） •高直流电流增益（最小值20000）。 •前置放大器输入的应用。 •NPN小信号达林顿在一个表面贴装SOT89塑料包装。 •PNP补充：BCV28。