BCM857BV

NXP 恩智浦分立器件

NXP BCM857BV 双极晶体管阵列, PNP, -45 V, 300 mW, -100 mA, 290 hFE, SOT-666 新

General description

PNP/PNP matched double transistors in small Surface-Mounted Device SMD plastic packages. The transistors are fully isolated internally.

Features

■ Current gain matching

■ Base-emitter voltage matching

■ Drop-in replacement for standard double transistors

Applications

■ Current mirror

■ Differential amplifier

BCM857BV中文资料参数规格

技术参数

针脚数 6

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

直流电流增益hFE 290

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-666

外形尺寸

封装 SOT-666

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC版本 2015/12/17

BCM857BV引脚图与封装图

BCM857BV引脚图

BCM857BV封装图

BCM857BV封装焊盘图

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