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BCV62AE6327HTSA1

BCV62AE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

小信号 PNP ,


得捷:
TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT143


欧时:
Infineon BCV62AE6327HTSA1, 双 PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 4-Pin SOT-143 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R


BCV62AE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 125 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 220

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For current mirror applications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCV62AE6327HTSA1引脚图与封装图
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BCV62AE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存