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BCV61BE6327HTSA1

BCV61BE6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 主动器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

复合晶体管,


得捷:
TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143


立创商城:
BCV61BE6327HTSA1


欧时:
Infineon BCV61BE6327HTSA1 NPN 达林顿晶体管对, 100 mA, Vce=30 V, HFE=100, 4引脚 SOT-143封装


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R


Win Source:
TRANSISTOR NPN DOUBLE SOT-143 / Transistor Current Mirror 2 NPN, Base Collector Junction 30V 100mA Surface Mount PG-SOT-143-3D


BCV61BE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC 30.0 V

额定电流 100 mA

极性 NPN

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 100

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

额定电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 For current mirror applications, 电流镜像

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCV61BE6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BCV61BE6327HTSA1
型号 制造商 描述 购买
BCV61BE6327HTSA1 Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存
替代型号BCV61BE6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCV61BE6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-143 30V 100mA

当前型号

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

当前型号

型号: BCV61BE6433HTMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-253-4 NPN

完全替代

Infineon BCV61BE6433HTMA1, 双 NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:100, 250 MHz, 4引脚 SOT-143封装

BCV61BE6327HTSA1和BCV61BE6433HTMA1的区别