BFP540FESDE6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFP540FESDE6327中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 5 V
增益 20 dB
最小电流放大倍数hFE 50 @20mA, 3.5V
额定功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-4
外形尺寸
封装 SMD-4
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFP540FESDE6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFP540FESDE6327 | Infineon 英飞凌 | TRANS RF NPN 4.5V 80mA 4TSFP | 搜索库存 |