BSP299 H6327
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSP299 H6327中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 3.1 Ω
耗散功率 1.8 W
漏源极电压Vds 500 V
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 300pF @25VVds
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSP299 H6327引脚图与封装图
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在线购买BSP299 H6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP299 H6327 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 500V 0.4A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |