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BSM50GB170DN2HOSA1

BSM50GB170DN2HOSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans IGBT Module N-CH 1700V 72A 500000mW 7Pin Tray

Summary of Features:

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Superior solution for frequency controlled inverter drives
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UL/CSA Certification with UL1557 E83336
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Operating temperature up to 150 °C
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Optimized switching characteristic like softness and reduced switching losses
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Existing packages with higher current capability
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RoHS compliant

Benefits:

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Flexibility
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Optimal electrical performance
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Highest reliability
BSM50GB170DN2HOSA1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

输入电容Cies 8nF @25V

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 500000 mW

封装参数

引脚数 7

封装 AG-34MM-1

外形尺寸

封装 AG-34MM-1

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tray

制造应用 Wind, Drives, Solar, Traction

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSM50GB170DN2HOSA1引脚图与封装图
BSM50GB170DN2HOSA1电路图

BSM50GB170DN2HOSA1电路图

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BSM50GB170DN2HOSA1 Infineon 英飞凌 Trans IGBT Module N-CH 1700V 72A 500000mW 7Pin Tray 搜索库存