BUJ103A,127
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We En Semiconductor
分立器件
极性 NPN
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 13 @500mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 32
额定功率Max 80 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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