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BF1208,115

BF1208,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

双栅极射频 MOSFET ,Nexperia


得捷:
MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666


欧时:
NXP 双 Si N沟道 MOSFET 四极管 BF1208,115, 30 mA, Vds=6 V, 6引脚 SOT-666封装


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin SOT-666 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin SS-Mini T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin SOT-666 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH DUAL GATE SOT666


BF1208,115中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 6 V

增益 32 dB

测试电流 19 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SS-Mini-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.6 mm

封装 SS-Mini-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1208,115引脚图与封装图
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