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BSS315PH6327XTSA1

BSS315PH6327XTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  BSS315PH6327XTSA1  场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -1.5A, SOT-23-3

OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET

**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。

增强型模式

雪崩等级

低切换和传导功率损耗

无铅引线电镀;符合 RoHS 标准

标准封装

OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C


得捷:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3


欧时:
Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS315PH6327XTSA1, 1.18 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装


立创商城:
P沟道 30V 1.5A


e络盟:
晶体管, MOSFET, BRT, P沟道, -1.5 A, -30 V, 0.113 ohm, -10 V, -1.5 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  BSS315PH6327XTSA1  MOSFET, P CH, -30V, -1.5A, SOT-23-3


Win Source:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23


BSS315PH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 0.5 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.113 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 6.5 ns

输入电容Ciss 212pF @15VVds

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, Onboard charger, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

BSS315PH6327XTSA1引脚图与封装图
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