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BSS123ATA
Vishay Semiconductor 威世 分立器件
BSS123ATA中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 170 mA

漏源极电阻 10.0 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360mW Ta

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 170 mA

输入电容Ciss 25pF @25VVds

额定功率Max 360 mW

耗散功率Max 360mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSS123ATA引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSS123ATA Vishay Semiconductor 威世 Trans MOSFET N-CH 100V 0.17A 3Pin SOT-23 T/R 搜索库存