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BSZ088N03MSG

BSZ088N03MSG

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BSZ088N03MSG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 35.0 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 2100pF @15VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 2.4 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSZ088N03MSG引脚图与封装图
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BSZ088N03MSG Infineon 英飞凌 的OptiMOS ™ 3 M系列功率MOSFET OptiMOS™3 M-Series Power-MOSFET 搜索库存