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BCR523E6327HTSA1

BCR523E6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

Infineon BCR523E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装

双电阻器数字,

Infineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3


立创商城:
NPN - 预偏压 500mA 50V


欧时:
Infineon BCR523E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 NPN Silicon Digital TRANSISTOR


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 50 V, 100 MHz, 330 mW, 500 mA, 70 hFE


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# INFINEON  BCR523E6327HTSA1  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 50 V, 100 MHz, 330 mW, 500 mA, 70 hFE


Win Source:
TRANS PREBIAS NPN 0.33W SOT23-3


BCR523E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 500 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V

额定功率Max 330 mW

直流电流增益hFE 70

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 100 MHz

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BCR523E6327HTSA1引脚图与封装图
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在线购买BCR523E6327HTSA1
型号 制造商 描述 购买
BCR523E6327HTSA1 Infineon 英飞凌 Infineon BCR523E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装 搜索库存
替代型号BCR523E6327HTSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCR523E6327HTSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 50V 500mA 330mW

当前型号

Infineon BCR523E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装

当前型号

型号: BCR523E6433HTMA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 NPN 50V 500mA 330mW

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Infineon BCR523E6433HTMA1 NPN 数字晶体管, Vce=50 V, 1 kΩ, 电阻比:0.1, 3引脚 SOT-23封装

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品牌: 安世

封装:

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