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BSP129L6327HTSA1

BSP129L6327HTSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOSà ?小信号三极管 SIPMOS® Small-Signal-Transistor

表面贴装型 N 通道 350mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4


得捷:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223


BSP129L6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.8W Ta

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 0.35A

输入电容Ciss 108pF @25VVds

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSP129L6327HTSA1引脚图与封装图
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