BSS123N H6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSS123N H6327中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 0.5 W
上升时间 3.2 ns
输入电容Ciss 15.7pF @25VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1.10 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSS123N H6327引脚图与封装图
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在线购买BSS123N H6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSS123N H6327 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 100V 0.19A 3Pin SOT-23 T/R | 搜索库存 |