频率 250 MHz
额定电压DC -32.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
耗散功率 330 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 20
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 330 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCW61BE6327 | Infineon 英飞凌 | PNP 晶体管,Infineon ### 双极晶体管,Infineon | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCW61BE6327 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-23 PNP 32V 100mA 330mW | 当前型号 | PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon | 当前型号 | |
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型号: BCW61B 品牌: 西门子 封装: | 功能相似 | PNP Silicon AF Transistors For AF input stages and driver applications High current gain | BCW61BE6327和BCW61B的区别 |