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BCW61BE6327

BCW61BE6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

Bipolar BJT Transistor


得捷:
TRANS PNP 32V 0.1A SOT23-3


安富利:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 32V; 100mA; 330mW; SOT23


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BCW61BE6327中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

额定电压DC -32.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 32 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 20

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW61BE6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCW61BE6327 Infineon 英飞凌 PNP 晶体管,Infineon ### 双极晶体管,Infineon 搜索库存
替代型号BCW61BE6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCW61BE6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 PNP 32V 100mA 330mW

当前型号

PNP 晶体管,Infineon### 双极晶体管,Infineon

当前型号

型号: BCW61BE6433

品牌: 英飞凌

封装:

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