BF1005SE6327HTSA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
主动器件
BF1005SE6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数
频率 800 MHz
额定电流 25 mA
耗散功率 200 mW
增益 22 dB
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200 mW
额定电压 8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143-4
外形尺寸
封装 SOT-143-4
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF1005SE6327HTSA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BF1005SE6327HTSA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF1005SE6327HTSA1 | Infineon 英飞凌 | Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 4Pin3+Tab SOT-143 T/R | 搜索库存 |
替代型号BF1005SE6327HTSA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF1005SE6327HTSA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-143 200mW | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 4Pin3+Tab SOT-143 T/R | 当前型号 |
| 型号： BF 2040 E6814 品牌： 英飞凌 封装： SOT-143 | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.04A Automotive 4Pin3+Tab SOT-143 T/R | BF1005SE6327HTSA1和BF 2040 E6814的区别 |