BSP315PL6327HTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOS小信号三极管 SIPMOS Small-Signal-Transistor

表面贴装型 P 通道 60 V 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4

得捷:
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT223-4

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.17A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

BSP315PL6327HTSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1.8W Ta

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.17A

输入电容Ciss 160pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

耗散功率Max 1.8W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSP315PL6327HTSA1引脚图与封装图

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