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BFN27E6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

SOT-23 PNP 300V 0.2A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 300V; 200mA; 360mW; SOT23


BFN27E6327中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定电压DC -300 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 360 mW

击穿电压集电极-发射极 300 V

集电极最大允许电流 0.2A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFN27E6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BFN27E6327 Infineon 英飞凌 SOT-23 PNP 300V 0.2A 搜索库存
替代型号BFN27E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFN27E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 PNP 300V 200mA

当前型号

SOT-23 PNP 300V 0.2A

当前型号

型号: BFN27

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP

完全替代

BJT

BFN27E6327和BFN27的区别