BCX18LT1
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ON Semiconductor
安森美
分立器件
BCX18LT1中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.5A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
BCX18LT1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCX18LT1 | ON Semiconductor 安森美 | 通用晶体管（电压和电流均为负值PNP晶体管） General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors | 搜索库存 |
替代型号BCX18LT1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCX18LT1 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23/SC-59 PNP | 当前型号 | 通用晶体管（电压和电流均为负值PNP晶体管） General Purpose Transistors Voltage and Current are Negative for PNP Transistors | 当前型号 |
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