BUK7526-100B,127
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK7526-100B,127中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 157 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 2891pF @25VVds
额定功率Max 157 W
下降时间 19 ns
耗散功率Max 157W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUK7526-100B,127引脚图与封装图
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在线购买BUK7526-100B,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK7526-100B,127 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 搜索库存 |
替代型号BUK7526-100B,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK7526-100B,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220AB | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 100V 49A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube | 当前型号 |
| 型号： BUK7526-100B 品牌： 恩智浦 封装： TO-220AB | 类似代替 | 的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FET | BUK7526-100B,127和BUK7526-100B的区别 |