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BSR56,215
NXP(恩智浦) 分立器件

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

N 通道 JFET,

### JFET

一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


得捷:
JFET N-CH 40V 20MA SOT23


欧时:
### N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


贸泽:
射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 TAPE7 FET-RFSS


艾睿:
Trans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Chip1Stop:
Trans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


Verical:
Trans JFET N-CH 40V 50mA Si 3-Pin TO-236AB T/R


BSR56,215中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 25 Ω

耗散功率 250 mW

漏源极电压Vds 40 V

击穿电压 40 V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSR56,215引脚图与封装图
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在线购买BSR56,215
型号 制造商 描述 购买
BSR56,215 NXP 恩智浦 N 通道 JFET,NXP ### JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。 搜索库存
替代型号BSR56,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSR56,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-236-3 250mW

当前型号

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

当前型号

型号: BSR56

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 N-Channel 40V 50mA 25ohms 250mW

功能相似

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSR56  晶体管, JFET, JFET, 40 V, 50 mA, 10 V, SOT-23, JFET

BSR56,215和BSR56的区别

型号: BSR57

品牌: 飞兆/仙童

封装: SOT-23 N-Channel 40V 20mA 250mW

功能相似

N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

BSR56,215和BSR57的区别

型号: MMBFJ203

品牌: 飞兆/仙童

封装: TO-236-3 350mW

功能相似

MMBFJ203 N沟道结型场效应管 40v 4~20mA SOT-23 marking/标记 62R 低级别的 radio

BSR56,215和MMBFJ203的区别