BUK762R9-40E,118
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
耗散功率 234W Tc
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 6200pF @25VVds
额定功率Max 234 W
下降时间 32 ns
耗散功率Max 234W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BUK762R9-40E,118 | NXP 恩智浦 | N-Channel 40V 2.9mΩ 79NC SMT TrenchMOS Standard Level FET - TO-263 | 搜索库存 |