BUK725R0-40C,118
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NXP
恩智浦
分立器件
BUK725R0-40C,118中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 157 W
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 3820pF @25VVds
额定功率Max 157 W
耗散功率Max 157W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BUK725R0-40C,118引脚图与封装图
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在线购买BUK725R0-40C,118
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUK725R0-40C,118 | NXP 恩智浦 | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号BUK725R0-40C,118
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUK725R0-40C,118 品牌： NXP 恩智浦 封装： DPAK | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive 3Pin2+Tab DPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： STD120N4LF6 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel | 功能相似 | N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | BUK725R0-40C,118和STD120N4LF6的区别 |